APT34M120J, дискретные полупроводниковые модули power mosfet - mos8
Описание APT34M120J
Вид монтажа | Screw Mount |
---|---|
Длина | 38.2 mm |
Ширина | 25.4 mm |
Высота | 9.6 mm |
Коммерческое обозначение | POWER MOS 8, ISOTOP |
Вес изделия | 30 g |
ECCN | EAR99 |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 960 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Время спада | 90 ns |
Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 240 mOhms |
Время нарастания | 60 ns |
Типичное время задержки выключения | 315 ns |
Типичное время задержки при включении | 100 ns |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара