FF150R17ME3G, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) n-ch 1.7kv 240a
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 240A
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FF150R17ME3G
Описание FF150R17ME3G
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | Trench/Fieldstop IGBT3 - E3 |
| Упаковка | Tray |
| Коммерческое обозначение | EconoDUAL |
| Вес изделия | 345 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / блок | Econo D |
| Конфигурация | Dual |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 240 A |
| Высота | 17 mm |
| Длина | 152 mm |
| Ширина | 62 mm |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара