LND01K1-G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
LND01K1-G
Производитель:
Описание Eng:
MOS Transistor Lateral N-Ch MOS Transistor Depletion-Mode
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание LND01K1-G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | LND01 |
| Вес изделия | 6.300 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-23-5 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Время спада | 6.4 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 330 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
| Время нарастания | 11 ns |
| Типичное время задержки выключения | 1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.8 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 9 V |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Способы доставки в Калининград
Доставка LND01K1-G
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара