TC6320K6-G, Сборка MOSFET транзисторов
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
TC6320K6-G
Описание Eng:
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC T/R
В упаковке:
3300 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
212,58 ₽
Нет в наличии
Описание TC6320K6-G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Длина | 4.89 mm |
| Ширина | 3.91 mm |
| Высота | 1.37 mm |
| Вес изделия | 37.400 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | DFN-8 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, - 10 V |
| Время спада | 15 ns, 15 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 Ohms, 8 Ohms |
| Время нарастания | 15 ns, 15 ns |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns, 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns, 10 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 400 mS, 400 mS |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TC6320K6-G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 246 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2388 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 320 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара