2N6229, биполярные транзисторы - bjt pnp transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Артикул:
2N6229
Описание 2N6229
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | TO-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 1 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара