FF150R12KT3G, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF150R12KT3G
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
22 924,60 руб.
Нет в наличии
Описание FF150R12KT3G
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Упаковка | Tray |
| Серия | Trench/Fieldstop IGBT3 - T3 |
| Вес изделия | 340 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / блок | 62 mm |
| Длина | 106.4 mm |
| Высота | 30.9 mm |
| Ширина | 61.4 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 780 W |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FF150R12KT3G , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2425 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара