APTGT50DDA120T3G, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
12 113,53 руб.
Нет в наличии
Описание APTGT50DDA120T3G
| Вид монтажа | Chassis Mount |
|---|---|
| Вес изделия | 110 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SP3F-32 |
| Pd - рассеивание мощности | 270 W |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка APTGT50DDA120T3G , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара