DF200R12KE3, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL
Артикул:
DF200R12KE3
Производитель:
Описание DF200R12KE3
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Ширина | 61.4 mm |
| Серия | IGBT3 - E3 |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 340 g |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 106.4 mm |
| Высота | 30.9 mm |
| Упаковка / блок | IS5a ( 62 mm )-5 |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Pd - рассеивание мощности | 1.04 kW |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 200 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара