2N6315, Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
10 327,30 руб.
Нет в наличии
Описание 2N6315
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | TO-66-2 |
| Pd - рассеивание мощности | 90 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 2.5 A at 4 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 at 2.5 A at 4 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка 2N6315 , Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 471 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1216 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 407 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 217 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
