2N4900, биполярные транзисторы - bjt power bjt
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2N4900
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-66-2 |
| Упаковка | Tray |
| Технология | Si |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.3 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара