2N5152, Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
7 227,38 руб.
Нет в наличии
Описание 2N5152
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Упаковка | Bulk |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5.5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 750 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 90 at 2.5 A, 5 VDC |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 2.5 A, 5 VDC |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка 2N5152 , Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 246 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара