VP2206N3-G, МОП-транзистор 60V 0.9Ohm
Описание VP2206N3-G
Количество каналов | 1 Channel |
---|---|
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка | Bulk |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Вес изделия | 453.600 mg |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Вид монтажа | Through Hole |
Полярность транзистора | P-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Id - непрерывный ток утечки | 640 mA |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Высота | 5.33 mm |
Длина | 5.21 mm |
Ширина | 4.19 mm |
Тип | FET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Время спада | 22 ns |
Время нарастания | 16 ns |
Типичное время задержки выключения | 16 ns |
Типичное время задержки при включении | 4 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара