2N1486, Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2N1486
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | TO-8-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.75 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 55 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 750 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара