APT43GA90BD30, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
Описание APT43GA90BD30
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Длина | 21.46 mm |
Ширина | 16.26 mm |
Высота | 5.31 mm |
Вес изделия | 38 g |
ECCN | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Pd - рассеивание мощности | 337 W |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 900 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 78 A |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 78 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 78 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара