Jantxv2N2907A, Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Артикул:
Jantxv2N2907A
Описание Jantxv2N2907A
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-18-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 175 at 1 mA at 10 VDC |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 at 1 mA at 10 VDC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара