FP25R12W2T4_B11, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
7 307,51 руб.
Нет в наличии
Описание FP25R12W2T4_B11
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Серия | IGBT4 |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 39 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 175 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.25 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 39 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка FP25R12W2T4_B11 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 5 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара