CSD22206WT, моп-транзистор 8-v p-channel nexfet power моп-транзистор 9-dsbga -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор 8-V P-Channel NexFET Power МОП-транзистор 9-DSBGA -55 to 150
Производитель:
Texas Instruments
Артикул:
CSD22206WT
Описание CSD22206WT
| Серия | CSD22206W |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | DSBGA-9 |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 1.7 W |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 8 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV |
| Qg - заряд затвора | 14.6 nC |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 20 S |
| Время спада | 45 ns |
| Время нарастания | 17 ns |
| Типичное время задержки выключения | 118 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара