MG12150S-BN2MM, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A Dual
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
20 611,84 руб.
Нет в наличии
Описание MG12150S-BN2MM
| Вид монтажа | Chassis Mount |
|---|---|
| Упаковка / блок | Package S |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Серия | MG12150S |
| Упаковка | Bulk |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Вес изделия | 160 g |
| Pd - рассеивание мощности | 625 W |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Конфигурация | Dual |
Способы доставки в Калининград
Доставка MG12150S-BN2MM , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A Dual
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 335 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара