FRDMGD3100HB8EVM, средства разработки интегральных схем (ис) управления питанием half-bridge evaluation kit featuring gd3100 gate drive devices for igbt/sic mosfet

Name: FRDMGD3100HB8EVM, Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием Half-Bridge evaluation kit featuring GD3100 gate drive devices for IGBT/SiC MOSFET
Brand: NXP / Philips
SKU: 10063370
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием Half-Bridge evaluation kit featuring GD3100 gate drive devices for IGBT/SiC MOSFET

Код товара: 10063370

Дата обновления: 28.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FRDMGD3100HB8EVM , Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием Half-Bridge evaluation kit featuring GD3100 gate drive devices for IGBT/SiC MOSFET в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание FRDMGD3100HB8EVM

ECCN	EAR99

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← CF1/4CT52R7R5J MS3101A14S-9S →