FGH40N60SMD-F085, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FGH40N60SMD-F085
Описание FGH40N60SMD-F085
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FGH40N60SM_F085 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес изделия | 6.390 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 349 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара