IXFA7N80P, МОП-транзистор 7 Amps 800V 1.44 Rds
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание IXFA7N80P
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | IXFA7N80P |
| Упаковка | Tube |
| Длина | 10.41 mm |
| Вес изделия | 1.600 g |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 4.83 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 24 ns |
| Время нарастания | 32 ns |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFA7N80P , МОП-транзистор 7 Amps 800V 1.44 Rds
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 30453 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара