TN0610N3-G-P003, моп-транзистор n-ch enhancmnt mode моп-транзистор
МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Артикул:
TN0610N3-G-P003
Описание TN0610N3-G-P003
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Длина | 5.21 mm |
Ширина | 4.19 mm |
Высота | 5.33 mm |
Вес изделия | 453.600 mg |
ECCN | EAR99 |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Время спада | 16 ns |
Id - непрерывный ток утечки | 500 mA |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15 Ohms |
Время нарастания | 14 ns |
Типичное время задержки выключения | 16 ns |
Типичное время задержки при включении | 6 ns |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара