PBSS4160DS.115, Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание PBSS4160DS.115
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Вес изделия | 11.180 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SC-74-6 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 3.1 mm |
| Ширина | 1.7 mm |
| Высота | 1 mm |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 220 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара