FP75R07N2E4, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
20 300,84 руб.
Нет в наличии
Описание FP75R07N2E4
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Tray |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FP75R07N2E4 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 338 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1154 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 366 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 219 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара