PMGD780SN.115, МОП-транзистор N-CH TRENCH DL 60V
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание PMGD780SN.115
| Продукт | MOSFET Small Signal |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 2.2 mm |
| Ширина | 1.35 mm |
| Высота | 1 mm |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 410 mW |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 490 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 780 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 4 ns |
| Время нарастания | 4 ns |
| Типичное время задержки выключения | 5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара