2SCR523EBTL, Биполярные транзисторы - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor
Артикул:
2SCR523EBTL
Производитель:
Описание 2SCR523EBTL
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | EMT-3F-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | 2SCR523EB |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 at 1 mA at 6 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара