IXXH60N65B4H1, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) 650v/106a trench igbt genx4 xpt
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Производитель:
Littelfuse
Артикул:
IXXH60N65B4H1
Описание IXXH60N65B4H1
| Вес изделия | 4.500 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXXH60N65 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 380 W |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 116 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара