TN0110N3-G, МОП-транзистор 100V 3Ohm
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
97,16 руб.
Нет в наличии
Описание TN0110N3-G
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Вес изделия | 453.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 5.21 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Высота | 5.33 mm |
| Тип | FET |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Время спада | 3 ns |
| Время нарастания | 3 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 225 mS |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TN0110N3-G , МОП-транзистор 100V 3Ohm
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 30453 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара