IXFN38N100P, Дискретные полупроводниковые модули 38 Amps 1000V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
8 804,74 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN38N100P
| Вид монтажа | Chassis Mount |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | IXFN38N100 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 9.6 mm |
| Длина | 38.23 mm |
| Ширина | 25.42 mm |
| Вес изделия | 30 g |
| Pd - рассеивание мощности | 1 kW |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время спада | 40 ns |
| Время нарастания | 55 ns |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Технология | Si |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 210 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 38 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Конфигурация | Single |
| Типичное время задержки выключения | 71 ns |
| Типичное время задержки при включении | 74 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFN38N100P , Дискретные полупроводниковые модули 38 Amps 1000V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара