IXFH12N120P, МОП-транзистор 12 Amps 1200V 1.15 Rds
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
2 645,57 руб.
Нет в наличии
Описание IXFH12N120P
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | IXFH12N120 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Polar Power MOSFET HiPerFET |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Вес изделия | 6.500 g |
| Pd - рассеивание мощности | 543 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время спада | 34 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Технология | Si |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.35 Ohms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6.5 V |
| Qg - заряд затвора | 103 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 62 ns |
| Типичное время задержки при включении | 34 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFH12N120P , МОП-транзистор 12 Amps 1200V 1.15 Rds
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара