TK62N60X,S1F, МОП-транзистор DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TK62N60X,S1F
Описание TK62N60X,S1F
| Серия | TK62N60X |
|---|---|
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 20.95 mm |
| Длина | 15.94 mm |
| Ширина | 5.02 mm |
| Вес изделия | 38 g |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV-H |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 400 W |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 40 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 61.8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Qg - заряд затвора | 135 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 240 ns |
| Типичное время задержки при включении | 90 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара