TC58BYG2S0HBAI4, флеш-память nand 1.8v 4gb 24nm slc nand (eeprom)
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание TC58BYG2S0HBAI4
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
|---|---|
| Упаковка | Tray |
| ECCN | 3A991.b.1.a |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 150 mg |
| Упаковка / блок | TFBGA-63 |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Напряжение питания - мин. | 1.7 V |
| Напряжение питания - макс. | 30 mA, 1.95 V |
| Тип интерфейса | Parallel |
| Размер памяти | 4 Gbit |
| Организация | 512 M x 8 |
| Ширина шины данных | 8 bit |
| Тип синхронизации | Synchronous |
| Активный ток считывания — макс. | 30 mA |
| Тип памяти | NAND |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара