IXFH170N10P, МОП-транзистор 170 Amps 100V 0.009 Rds

Код товара: 10080654

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IXFH170N10P
Производитель:

Описание IXFH170N10P

Вид монтажаThrough Hole
ТипPolarHT HiPerFET Power MOSFET
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
СерияIXFH170N10
УпаковкаTube
Длина16.26 mm
Вес изделия6.500 g
ECCNEAR99
Высота21.46 mm
Ширина5.3 mm
Упаковка / блокTO-247-3
Коммерческое обозначениеHiPerFET
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности714 W
Полярность транзистораN-Channel
Количество каналов1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Id - непрерывный ток утечки170 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток9 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Qg - заряд затвора198 nC
Канальный режимEnhancement
КонфигурацияSingle
Тип транзистора1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.45 S
Время спада33 ns
Время нарастания50 ns
Типичное время задержки выключения90 ns
Типичное время задержки при включении35 ns

Способы доставки в Калининград

Доставка IXFH170N10P , МОП-транзистор 170 Amps 100V 0.009 Rds в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.