IXFH170N10P, МОП-транзистор 170 Amps 100V 0.009 Rds
Код товара: 10080654
Цена от:
1 354,34 руб.
Нет в наличии
Описание IXFH170N10P
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Тип | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Серия | IXFH170N10 |
Упаковка | Tube |
Длина | 16.26 mm |
Вес изделия | 6.500 g |
ECCN | EAR99 |
Высота | 21.46 mm |
Ширина | 5.3 mm |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 714 W |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Id - непрерывный ток утечки | 170 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Qg - заряд затвора | 198 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 45 S |
Время спада | 33 ns |
Время нарастания | 50 ns |
Типичное время задержки выключения | 90 ns |
Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFH170N10P , МОП-транзистор 170 Amps 100V 0.009 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара