IXFH170N10P, МОП-транзистор 170 Amps 100V 0.009 Rds
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFH170N10P
Производитель:
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
1 354,34 руб.
Нет в наличии
Описание IXFH170N10P
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Тип | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | IXFH170N10 |
| Упаковка | Tube |
| Длина | 16.26 mm |
| Вес изделия | 6.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 21.46 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 714 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 170 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 198 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 45 S |
| Время спада | 33 ns |
| Время нарастания | 50 ns |
| Типичное время задержки выключения | 90 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFH170N10P , МОП-транзистор 170 Amps 100V 0.009 Rds
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара