TH58NYG3S0HBAI6, флеш-память nand 1.95v 8gb 24nm slc nand (eeprom)
Описание TH58NYG3S0HBAI6
Минимальная рабочая температура | 40 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
Упаковка | Tray |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Вес изделия | 101 mg |
ECCN | 3A991.b.1.a |
Упаковка / блок | VFBGA-67 |
Чувствительный к влажности | Yes |
Напряжение питания - макс. | 1.95 V |
Напряжение питания - мин. | 1.7 V |
Ширина шины данных | 8 bit |
Размер памяти | 8 Gbit |
Тип интерфейса | Parallel |
Организация | 1 G x 8 |
Тип памяти | NAND |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара