OP555B, фототранзисторы photo transistor

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Фототранзисторы Photo Transistor
Код товара: 10082806
Дата обновления: 28.02.2022 08:20
Доставка OP555B , Фототранзисторы Photo Transistor в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание OP555B

УпаковкаBulk
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 100 C
Высота6.22 mm
Длина4.57 mm
Упаковка / блокSidelooker
ПродуктPhototransistors
ТипNPN Silicon Phototransistor
Ширина2.67 mm
ECCNEAR99
Вид монтажаThrough Hole
Pd - рассеивание мощности100 mW
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
Цвет/форма линзыBlue
Длина волны935 nm
Пиковая длина волны935 nm
Угол половинной интенсивности28 deg
Темновой ток100 nA
Максимальный ток коллектора во включенном состоянии4.7 mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер30 V