IXTN102N65X2, MOSFET
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
2 338,53 руб.
Нет в наличии
Описание IXTN102N65X2
| Вес изделия | 30 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 595 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 76 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 30 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 152 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 11 ns |
| Время нарастания | 28 ns |
| Типичное время задержки выключения | 67 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXTN102N65X2 , MOSFET
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 335 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара