APT15GP60BDQ1G, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) insulated gate bipolar transistor - pt power mos 7 - combi

Name: APT15GP60BDQ1G, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
SKU: 10084161
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi

Код товара: 10084161

Дата обновления: 14.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка APT15GP60BDQ1G , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание APT15GP60BDQ1G

ECCN	EAR99
Упаковка	Tube
Технология	Si

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: 2SDnjcaHRPw

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← 7427217 ELW1501AA →