IXGH30N60C3D1, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
Производитель:
Littelfuse
Артикул:
IXGH30N60C3D1
Описание IXGH30N60C3D1
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| Упаковка | Tube |
| Серия | IXGH30N60 |
| Pd - рассеивание мощности | 220 W |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 1.600 g |
| Коммерческое обозначение | GenX3 |
| Длина | 16.26 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Высота | 21.46 mm |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара