TH58NYG2S3HBAI4, Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание TH58NYG2S3HBAI4
| Продукт | NAND Flash |
|---|---|
| Упаковка / блок | TFBGA-63 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tray |
| ECCN | EAR99 |
| Напряжение питания - мин. | 1.7 V |
| Напряжение питания - макс. | 30 mA, 1.95 V |
| Тип интерфейса | Parallel |
| Размер памяти | 4 Gbit |
| Организация | 512 M x 8 |
| Ширина шины данных | 8 bit |
| Тип памяти | NAND |
| Тип синхронизации | Synchronous |
| Быстродействие | 25 ns |
| Архитектура | Block Erase |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара