A1P35S12M3-F, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION

Код товара: 10087466

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
A1P35S12M3-F

Описание A1P35S12M3-F

СерияA1P35S12M3-F
ПродуктIGBT Silicon Modules
Коммерческое обозначениеACEPACK
ECCNEAR99
Вид монтажаPress Fit
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура40 C
Вес изделия25 g
Упаковка / блокACEPACK1
УпаковкаTray
Pd - рассеивание мощности250 W
Конфигурация6-Pack
ТехнологияSi
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C35 A
Ток утечки затвор-эмиттер500 nA

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка A1P35S12M3-F , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2426
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.