A1P35S12M3-F, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) ptd new mat & pwr solution
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
A1P35S12M3-F
Описание A1P35S12M3-F
Серия | A1P35S12M3-F |
---|---|
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Коммерческое обозначение | ACEPACK |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Press Fit |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Вес изделия | 25 g |
Упаковка / блок | ACEPACK1 |
Упаковка | Tray |
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Конфигурация | 6-Pack |
Технология | Si |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 500 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара