A1P25S12M3-F, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) acepack 1 sixpack topology, 1200 v, 25 a, trench gate field-stop igbt m series, soft diode and ntc
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 1200 V, 25 A, trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
A1P25S12M3-F
Описание A1P25S12M3-F
Упаковка / блок | ACEPACK1 |
---|---|
Серия | A1P25S12M3-F |
ECCN | EAR99 |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Вид монтажа | Press Fit |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Конфигурация | Sixpack |
Технология | Si |
Коммерческое обозначение | ACEPACK |
Pd - рассеивание мощности | 197 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 25 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 500 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара