BSM50GX120DN2, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSM50GX120DN2
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
34 496,92 руб.
Нет в наличии
Описание BSM50GX120DN2
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | 3-Phase |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 400 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 78 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSM50GX120DN2 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара