VN10KN3-G-P002, МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
106,87 руб.
Нет в наличии
Описание VN10KN3-G-P002
| Продукт | MOSFET Small Signal |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.21 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 453.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 310 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка VN10KN3-G-P002 , МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара