1214-30, рч биполярные транзисторы l-band/bipolar radar transistor
РЧ биполярные транзисторы L-Band/Bipolar Radar Transistor
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Артикул:
1214-30
Описание 1214-30
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | 55AW-1 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 88 W |
Полярность транзистора | NPN |
Конфигурация | Single |
Тип транзистора | Bipolar |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
Рабочая частота | 1.2 GHz to 1.4 GHz |
Выходная мощность | 30 W |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара