VP0106N3-G, моп-транзистор 60v 8ohm
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание VP0106N3-G
| Тип | FET |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Длина | 5.21 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Высота | 5.33 mm |
| Упаковка | Bulk |
| Вес изделия | 453.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 4 ns |
| Время нарастания | 5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 150 mS |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара