2SAR522EBTL, биполярные транзисторы - bjt pnp general purpose amplification transistor
Биполярные транзисторы - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor
Производитель:
ROHM
Артикул:
2SAR522EBTL
Описание 2SAR522EBTL
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-416FL-3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | 2SAR522EB |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Вес изделия | 6 mg |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 120 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара