IXFL100N50P, МОП-транзистор tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds

Код товара: 10094936

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IXFL100N50P
Производитель:

Описание IXFL100N50P

УпаковкаTube
СерияIXFL100N50
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Высота26.42 mm
Длина20.29 mm
ТехнологияSi
ТипPolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264
Ширина5.21 mm
Вид монтажаThrough Hole
Вес изделия7.500 g
ECCNEAR99
Упаковка / блокTO-264-3
Коммерческое обозначениеHiPerFET
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Id - непрерывный ток утечки70 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток52 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Qg - заряд затвора240 nC
Pd - рассеивание мощности625 W
Канальный режимEnhancement
КонфигурацияSingle
Тип транзистора1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.50 S
Время спада26 ns
Время нарастания29 ns
Типичное время задержки выключения110 ns
Типичное время задержки при включении36 ns

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IXFL100N50P , МОП-транзистор tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.