IXTQ100N25P, моп-транзистор 100 amps 250v 0.027 rds
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IXTQ100N25P
| Вес изделия | 5.500 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXTQ100N25 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | PolarHT Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Высота | 20.3 mm |
| Длина | 15.8 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 600 W |
| Коммерческое обозначение | PolarHT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 185 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 28 ns |
| Время нарастания | 26 ns |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара