PBHV8215Z.115, Биполярные транзисторы - BJT 150V 2A NPN HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR
Цена от:
30,61 руб.
Нет в наличии
Описание PBHV8215Z.115
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 112 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Конфигурация | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Длина | 6.7 mm |
| Ширина | 3.7 mm |
| Высота | 1.7 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 1.45 W |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 55 |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 33 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка PBHV8215Z.115 , Биполярные транзисторы - BJT 150V 2A NPN HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара