MXD1210CWE+, контроллеры памяти nonvolatile ram controller
Описание MXD1210CWE+
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Упаковка / блок | SOIC-Narrow-16 |
Серия | MXD1210 |
Упаковка | Tube |
Вес изделия | 200.700 mg |
ECCN | EAR99 |
Минимальная рабочая температура | 0 C |
Максимальная рабочая температура | + 70 C |
Высота | 1.35 mm |
Длина | 9.8 mm |
Ширина | 3.8 mm |
Тип | Non-Volatile RAM (NVRAM) |
Рабочий ток источника питания | 230 uA |
Переключение на резервное батарейное питание | Yes |
Напряжение питания - макс. | 5.5 V |
Напряжение питания - мин. | 4.75 V |
Описание/функция | Converting CMOS RAM into nonvolatile memory |
Тип памяти | Nonvolatile RAM - NVRAM |
Индикатор состояния литиевой батареи | No |
Количество каналов памяти | 1 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара